KP5010 (KP5010S)

KP5010 (KP5010S)

Техническая информация
Вх. прямой ток50 мА
Напр. коллектор-эмиттер300 В
Ток коллектор150 мА
Напр. изоляции5000 В, в течении 1 мин
Вх. прямое напр., макс.1.4 В
Коэф. усиления тока600-9000%
Напр. насыщ. кол.-эмит., макс.1.5 В
Время нарастания60 мкс
Время спада50 мкс
КорпусDIP6 (SMD6)
Чертеж
KP5010 (KP5010S)
KP5010 (KP5010S)
Код заказа и артикул
Код заказаАртикулНаименование
Корпус DIP
12907KP 5010 AОптоэлектронные приборы
12908KP 5010 BОптоэлектронные приборы
12909KP 5010 CОптоэлектронные приборы
12910KP 5010 DОптоэлектронные приборы
12911KP 5010 EОптоэлектронные приборы
Корпус SMD
12959KP 5010 SAОптоэлектронные приборы
12960KP 5010 SBОптоэлектронные приборы
12961KP 5010 SCОптоэлектронные приборы
12962KP 5010 SDОптоэлектронные приборы
12963KP 5010 SEОптоэлектронные приборы

Наверх