KP2010 (KP2010S)

KP2010 (KP2010S)

Техническая информация
Вх. прямой ток50 мА
Напр. коллектор-эмиттер60 В
Ток коллектор50 мА
Напр. изоляции5000 В, в течении 1 мин
Вх. прямое напр., макс.1.4 В
Коэф. усиления тока60-600%
Напр. насыщ. кол.-эмит., макс.0.3 В
Время нарастания5 мкс
Время спада4 мкс
КорпусDIP6 (SMD6)
Чертеж
KP2010 (KP2010S)
KP2010 (KP2010S)
Код заказа и артикул
Код заказаАртикулНаименование
Корпус DIP
12881KP 2010 AОптоэлектронные приборы
12882KP 2010 BОптоэлектронные приборы
12883KP 2010 CОптоэлектронные приборы
12884KP 2010 DОптоэлектронные приборы
12885KP 2010 EОптоэлектронные приборы
Корпус SMD
12933KP 2010 SAОптоэлектронные приборы
12934KP 2010 SBОптоэлектронные приборы
12935KP 2010 SCОптоэлектронные приборы
12936KP 2010 SDОптоэлектронные приборы
12937KP 2010 SEОптоэлектронные приборы

Наверх